《半导体器件物理基础》曾树荣 北京大学出版社 2002.02

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• 内容简介:

  本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必须的知识，包括半导体基本知识和pn结理论；其余各章为第二部分，阐述主要半导体器件的基本原理和特性，这些器件包括：双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题，书后附有习题参考解答。
  本书简明扼要，讨论深入，内容丰富，可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。

• 目录:

  主要符号表
  第一章半导体基本知识
  1.1半导体材料和载流子模型
  1.2晶格振动
  1.3载流子输运现象
  1.4半导体的光学性质
  第二章Pn结
  2.1热平衡状态
  2.2耗尽区和耗尽层电容
  2.3真流特性
  2.4交流小信号特性：扩散电容
  2.5电荷存储和反向恢复时间
  2.6结的击穿
  第三章双极型晶体管
  3.1基本原理
  3.2双极型晶体管的真流特性
  3.3双极型晶体管模型
  3.4双极型晶体管的频率特性
  3.5双极型晶体管的开关特性
  3.6异质结双极晶体管（HBT）
  3.7多晶硅发射极晶体管（PET）
  3.8Pnpn结构
  第四章化合物半导体场效应晶体管
  4.1肖特基势垒和欧姆接触
  4.2GaAsMESFET
  4.3高电子迁移率晶体管（HEMT）
  第五章MOS器件
  第六章微波二极管，量子效应器件
  第七章半导体光器件
  附录