本书是作者在多年的科研和教学基础上积累而成。运用几何学的概念和方法系统地分析和推导晶体的对称性原理及晶体的衍射原理，给读者以鲜明的立体概念，便于理解、掌握和应用。全书共分为三部分:几何晶体学基本原理、微观空间对称原理和晶体中X射线衍射基本原理。第一、二篇运用一般位置等效点系中的等效点在空间的对称分布与空间对称性相一致的原理，分别对晶体的宏观对称性、微观对称性及对称组合规律进行深人的阐述和分析，并对32个点群和230个微观空间对称组合给予系统推导。第三篇在晶体点阵与其倒易点阵相互关系的基础上，运用倒易点阵与反射球的数学模型及其相互作用关系，详细阐明劳埃散射方程和布拉格反射方程，并从原理上简明地描述了几种常用的重要的单晶衍射方法和仪器的实际运用。此外，从晶体微观空间中的平移矢量所导致倒易阵点系统消失的原理，阐明衍射的系统消光规律，并对120个衍射群给予推导。

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本书是中山大学海洋科学学院系列教材之一，包括18个实验，介绍结晶学与矿物学的基础知识。每个实验内容包括实验目的和要求、实验知识要点、实验的主要内容及注意事项。本书符合实验教材常用写法，理论与实践结合，适合大学有关专业作教材使用。

本书是一本关于晶体生长基本概念和技术的著名著作，书中对晶体生长的理论和实践进行了系统的全面的叙述，对广大读者有重要的参考价值。本书由结晶过程和晶体生长两大部分组成。第一部分包含平衡、成核和外延、生长机制、杂质、质量和热输运、生长外形及其稳定性、缺陷的产生和团块结晶等。第二部分介绍了气相生长、溶液生长和熔体生长。本书可供固体物理、材料科学、晶体学、金属学、矿物学、化学等专业的教师、研究生、本科生作为教材或教学参考书，并可供有关科技人员参考。

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的工程热物理理论知识应用到国际前沿领域的研究中，促进了传统学科的发展。

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本书共分为10章，内容包括：绪论、晶体生长的基本规律、晶体的面角恒等及投影、晶体的宏观对称、单形和聚形、晶体定向和结晶符号、实际晶体的形态和规则连生、晶体结构的几何理论、晶体化学基础、晶体结构。

　　《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：
　　第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应力增加、载流子浓度降低、电子迁移率升高、光学性能变好。
　　第3，4章介绍了采用低温缓冲层技术在蓝宝石和sic衬底上生长获得自支撑GaN单晶的方法。系统地研究了不同缓冲层工艺和单晶生长工艺对GaN晶体质量的影响，确定了工艺条件，获得了高质量的自支撑GaN单晶。
　　第5，6章介绍了高温退火处理衬底的方法。在退火过程中，位错的应变能会降低GaN分解所需的自由能，GaN在位错处会优先分解形成退火坑。且由于混合位错和螺位错的应变能大于刃位错的应变能，混合位错和螺位错对应的退火坑尺寸大于刃位错对应的退火坑尺寸。以此为基础，第5章提出一种根据退火坑的差异表征位错的方法。第6章对衬底进行高温退火，使其分解形成多孔结构，并在其上进行GaN的生长，获得自支撑GaN单晶。
　　第7章介绍了两步腐蚀法处理衬底获得自支撑GaN单晶的方法。

本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程，着重讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应等问题做了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统中的的生长动力学采用统一的观点加以阐述。本书是一本全面论述晶体生长理论的专著，既可作为高等院校学生和研究有关晶体生长课程的教科书或教学参考书，也可作为相关科技人员的参考读物。

本书对透射电子显微镜的构造、实验技术的原理和应用进行了详细介绍。第二版已对第一版内容进行了修订和更新。解释了为什么需要用到这一特殊的技术以及如何将这一特定概念运用到实践中。全书分为上下两册，共4篇，总计40章。第一篇主要介绍一些与透射电子显微镜相关的基本概念，包括电子衍射的基础知识、仪器的构造与功能，以及透射电子显微镜样品的制备等。第二篇主要介绍电子衍射的基本原理、不同的电子衍射实验技术，以及对电子衍射的理论描述。第三篇主要介绍成像的基本原理和各种成像类型、不同的成像技术，以及对实验图像的处理、分析和理论模拟。第四篇主要介绍X射线能谱和电子能量损失谱的基本原理和应用，以及与之相关的各种实验技术。全书有近700张图表，在英文版中全为彩图，而在中译本中大部分为黑白图，但并不影响所表达的意思。中译本将全书分成上下两册，即将英文版的第一篇和第二篇作为上册，将第三篇和第四篇作为下册。本书可作为高等院校高年级本科生和研究生的教材，也可作为从事电子显微学分析等相关领域研究人员的参考用书。

　　《结晶学与矿物学教程/普通高等教育十三五规划教材》分5篇18章：第Ⅰ篇晶体几何学，含1～3章，包括晶体及其性质、晶体宏观对称、单形与聚形、空间格子、晶体结晶系统、七个晶系、230种空间群等；第Ⅱ篇晶体化学与晶体生长，含4～5章，包括晶体化学、晶体结构、晶体生长物理化学、热力学等；第Ⅲ篇矿物性质及鉴定方法，含6～9章，包括矿物化学成分、矿物形态、物理性质、鉴定方法等；第Ⅳ篇矿物各论，含10～17章。包括矿物分类、中国发现新矿物、自然元素矿物、硫化物及其类似化合物、氧化物与氢氧化物、含氧盐矿物、卤化物矿物等五大类常见矿物的性质与成因，陨石矿物简介等；第Ⅴ篇成矿地质作用，含18章，介绍形成矿物的地质作用。书末附有常见矿物的彩色图片。
　　《结晶学与矿物学教程/普通高等教育十三五规划教材》为金属矿产资源勘查与开发利用专业本科生或研究生教材．也可供相关领域的科技人员参考。

本书是B·K·伐因斯坦（主编）与A·A·契尔诺夫和L·A·苏伏洛夫主持编写的4卷本巨著《现代晶体学》中的第4卷.本书由有名学者L·A·苏伏洛夫牵头的8位专家共同编写.本书是一本关于晶体物理性质基本概念、理论和技术的有名著作，着重从晶体学基础的角度来编排内容，对晶体物理性质的理论和实践进行了全面、系统的介绍，对广大读者有重要的参考价值.全书共8章，全面、系统地介绍晶体物理性质的张量理论基础和晶体的力学性质、电学性质、磁学性质、半导体性质、光学性质、输运性质以及液晶.本书可作为固体物理、材料科学、晶体学、金属学、矿物学、化学等专业的教师、研究生、大学生的教材或教学参考书，并可供有关专业的科技人员参考.

本书是石油高等院校《结晶学与矿物学》、《晶体光学》相关课程的配套实验指导书，与课堂理论紧密结合，并将矿物内部结构、宏观特征及显微镜下特征结合起来，使学生更容易通过实验掌握常见造岩矿物的鉴定特征。本书可作为指导学生进行结晶学与矿物学、晶体光学实验时使用。

应用数学分析基础是在重庆大学“高等数学”课程教材体系改革试点工作的配套讲义的基础上历经20多年修订而成的.与传统高等数学教材相比,本书不仅注重让学生理解、掌握高等数学的内容,同时也强调培养学生实事求是的科学态度、严谨踏实的科学作风和追根究底的科学精神.全书共分四册,本册为多元函数微积分学,内容包括n维欧氏空间、多元函数微分学、多元函数积分学及其性质三章,各节均配有习题,各章末配有总习题.

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