《氮化铝基稀磁半导体的制备及性质研究》任银拴著北京邮电大学出版社

内容简介：

本书立足于学界对稀磁半导体中是否存在铁磁性及其内在磁性机制的较大争议问题，基于“三族氮化物稀磁半导体”在自旋电子学领域的潜在应用，在自主研究与实验基础上，提出了稀磁半导体应用面临的困境以及解决路径，即重点采用非磁性元素(Sn、Ti)掺杂和缺陷诱导成功地制备出具有室温铁磁性的AlN基稀磁半导体，并探测出其铁磁性规律及其应用价值。本书介绍了稀磁半导体的概念、制备方法、面临的问题及AlN基稀磁半导体的研究进展和尚待解决的问题；材料物理基础和固体理论。作者的主要创造性工作：一是采用非磁性元素(Sn、Ti)掺杂和缺陷诱导成功制备出具有室温铁磁性的AlN基稀磁半导体；二是采用缺陷诱导成功制备出具有室温铁磁性的硫化物基稀磁半导体。这一研究不仅对AlN基稀磁半导体从理论到实验进行详细论述与论证，而且实现了自旋电子学的一个突破。既具有学术价值，也具有时代价值和现实意义。

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